NAME(Исследование ионно-легированных структур на арсениде галлия и разработка 
малошумящих СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки)

DIRECTION(6)

CHIEF(256)

BEGIN
    Целью работы является разработка усовершенствованной технологии 
формирования ионно-легированных структур для малошумящих СВЧ
полевых транзисторов с барьером Шотки.
    Научно-техническая и практическая ценность ожидаемых результатов.
Критерии по отбору исходного полуизолирующего арсенида галлия для прямой
ионной имплантации. Способы управления профилем распределения носителей 
заряда на границе ионно-легированный слой - подложка. Воспроизводимая
технология изготовления СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки.
END