NAME(Разработка САПР полевых транзисторов и усилителей на арсениде галлия)

DIRECTION(6)

CHIEF(257)

BEGIN
    Цель работы - разработка программных продуктов IBM PC САПР "FETCAD"
для проектирования линейных СВЧ ИС на полевых транзисторах с барьером
Шотки. В "FETCAD" должны решаться следующие основные задачи: моделирование
одно- и двухзатворных арсенид-галлиевых полевых транзисторов (в частности,
транзисторов с высокой подвижностью электронов) по физико-топологическим
данным и режиму постоянного тока; анализ линейных СВЧ схем, содержащих 
полевые транзисторы, синтез элементов СВЧ устройств, статистическое 
моделирование полевых транзисторов и устройств СВЧ.
END