PHOTO(256.gif)

FULLNAME(Селезнев Борис Иванович)

SHORTNAME(Селезнев Б.И.)

FIELD1Должность FIELD2Профессор

FIELD1Телефон FIELD2816-2-75-52

FIELD1Факс FIELD2

EMAIL()

KAFEDRA(F2,K4)

FIELD1Преподаваемае дисциплины FIELD2

	<UL>
	<LI>Физика твердого тела
	<LI>Физика и технология СВЧ микроэлектронных приборов
	<LI>Физические основы оптоэлектроники
	</UL>

FIELD1Образование FIELD2высшее

FIELD1УчЯная степень FIELD2к.ф.-м.н.

FIELD1Cпециальность FIELD220.02.00

FIELD1УчЯное звание FIELD2доцент

FIELD1Стаж педагогической работы FIELD220 лет

FIELD1Научные направления FIELD2

	DIRECT(F2,6)

FIELD1Количество опубликованных работ FIELD266
FIELD1Количество учебно-методических работ FIELD216
FIELD1Защитивших диссертации под его руководством FIELD2
FIELD1Количество изобретений и патентов FIELD23

FIELD1Знание языков FIELD2английский

<H2>Дополнительные сведения</H2>
1. Лазерный отжиг ионно-легированных слоев арсенида галлия. - Электронная
техника. Сер.7, 1986, вып.6, с.52-55.
2. Формирование ионно-легированных слоев арсенида галлия для СВЧ полевых
транзисторов с барьером Шотки. - Электронная техника, Сер.7, 1991, вып.3, 
с.6-9.
3. Диэлектрические пленки для СВЧ полевых транзисторов и интегральных 
схем на арсениде галлия. // Тезисы докладов Российской научно-технической
конференции по физике диэлектриков с международным участием 
"Диэлектрики-93". - Санкт-Петербург, 1993, ч.II, с.78-79.
4. Управление характеристиками слоистых микроэлектронных структур с
применением лазерного облучения. - Журн. научн. приборостроение, 1993, вып.4
5. Методические указания к курсу лекций "Волоконно-оптические системы 
информации". // Часть I. Оптические явления в полупроводниках, 1984 - 5п.л.
Часть II. Источники и приемники излучения, 1984 - 6.0 п.л. Часть III. 
Распространение оптического излучения в световодах, 1986 - 2.5 п.л.
Часть IV. Компоненты волоконно-оптических систем и устройств, 1987 - 2 п.л.
6. Влияние лазерного облучения на стурктуру пленок двуокиси кремния, 
имплантированных ионами фосфора. - Журн. прикл. спектр., 1982, т.36, 
вып.3, с.413-416.
7. Примесная фотопроводимость карбида кремния. - Физ. и техн.
полупроводн., 1974, т.8, вып.11, с.2248-2250.