PHOTO(257.gif)

FULLNAME(Фаянс Олег Аркдьевич)

SHORTNAME(Фаянс О.А.)

FIELD1Должность FIELD2доцент

FIELD1Телефон FIELD2816-007-52-36, 816-002-75-52

FIELD1Факс FIELD2816-002-41-10

EMAIL(novintex@pltx.nov.su)

KAFEDRA(F2,K4)

FIELD1Преподаваемае дисциплины FIELD2

	<UL>
	<LI>Микроэлектроника СВЧ
	<LI>Основы микроэлектроники
	<LI>Проблемы и методы управления качеством
	</UL>

FIELD1Образование FIELD2высшее

FIELD1УчЯная степень FIELD2к.т.н.

FIELD1Cпециальность FIELD220.02.00

FIELD1УчЯное звание FIELD2доцент

FIELD1Стаж педагогической работы FIELD222 года

FIELD1Научные направления FIELD2

	DIRECT(F2,6)

FIELD1Количество опубликованных работ FIELD220
FIELD1Количество учебно-методических работ FIELD29
FIELD1Защитивших диссертации под его руководством FIELD2
FIELD1Количество изобретений и патентов FIELD21

FIELD1Знание языков FIELD2английский, немецкий

<H2>Дополнительные сведения</H2>
Наиболее существенные публикации:
1. Катодолюминесценция карбида кремния, легированного бором и 
азотом. - ФТП, 1973, т.7, N 2, с.291-294.
2. Silicon Carbide Epitaxial
Growth from the Vapour Phase and Properties of Epitaxial Layers. - 
J. Crystal Growth, 1976, v.34, no.2, p.298-300.
3. Исследование и оптимизация структуры и технологии планарного
транзистора на основе машинной модели. - Физика полупроводников и 
микроэлектроника. Межвузовский сборник, 1978, с.115-118.
4. Двухзатворный полевой транзистор на арсениде галлия АП318А-2. - 
Специальная электроника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 1986, 
вып.1(47), с.36-41.
5. "FETCAD" - система автоматизированного проектирования
полевых транзисторов и устройств СВЧ. - Материалы 2-ой Крымской 
конференции "СВЧ техника и спутниковый прием", Севастополь, Таврида,
1992. - с.131-136.
6. "FETCAD" - a Computer-Aided Design Software for Microwave FET and
Integrated Circuits. - The Third International Seminar on Simulation of
Devices and Technologies. Abstracts. - Obninsk, 1994. - p.35.